DR技术的进步一直都是与平板探测器技术的发展紧密相连的。平板技术发展主要体现在：动态反应时间和尺寸的大小、像素间距、MTF、DQE等方面。根据探测器的工作原理和组成材料的不同，DR探测器的分类主要有三种：CCD、一线扫描和非晶体平板也就是我们所说的X光平板探测器。

【CCD】

因为存在着一定的物理局限性，普遍认为CCD并不能够胜任大面积平板的采像工作，而且CCD设备在所采集的图像的质量上与非晶硅/硒平板设备差上一段距离。不过因为CCD的价格优势，在世界范围内仍然有厂家在使用着这种技术。

【一线扫描】

一线扫描也被称作一维线扫描技术，这项技术是由俄罗斯科学院核物理研究所发明出来的，目前我国国内生产该DR探测器的非常少。这项产品虽然设备造价和受照剂量方面都比平板技术要低很多，但是这项技术有着一些先天性的不足：X射线使用效率低、空间分辨率低、成像时间长、成像质量差以及医生和病体会收到大量辐射。

【非晶平板】

非晶平板由不同的材料也可以分为两种类别：a-Se非晶硒层和a-Si非晶硅层

a-Se(非晶硒平板探测器)：这是一种直接探测的技术，在硒涂料层直接探测到X光子然后将其电信号转化成数字信号。目前这种技术应用范围较少，属于非主流X光平板探测器。

a-Si(非晶硅平板探测器)：这是一种两步数字转换的技术，X光子先变成可见光，然后利用光电探测技术探测到，再将其转化为数字信号。因涂层的技术不同，又可以分为非晶硅+氧化钆平板探测器和非晶硅+碘化铯平板探测器。目前这种技术广泛应用于世界各大知名厂商中，应用范围非常广。

以上就是DR探测器的分类。CCD由于物理方面的限制，生产工艺和门槛也比较低，已经开始逐渐被淘汰了;一线扫描也由于自身的缺憾很那作为主流产品;非晶体平板有具有的优势都不是前两者可以比的，所以目前较为成熟主流的DR探测器就是X光平板探测器。